专栏/入门了解芯片打磨工艺:硅晶片到底如何处理?

入门了解芯片打磨工艺:硅晶片到底如何处理?

2019年01月01日 06:21--浏览 · --点赞 · --评论
JDDthePRO
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JDD又来简单科普小知识了!苏妈的大侄子,老黄的磨刀石,赶紧初步了解一下普通硅晶片是如何被细致打磨成那块金砖上的芯片吧!

化学药剂+机械打磨:

本次介绍的是Mirra品牌的CMP机器

Cassette:装载Wafer的地方

Wafer,即硅晶片

FABS Robot:可以旋转 上升 平移 伸缩,传送wafer进入研磨流程和取出已研磨的wafer,前头有blade使用真空吸住wafer方便传输

Blade,即机械手臂前刀片

Load lock:承载由FABS Robot传送来的wafer,等待

Wet robot:可以按x,z,wrist,shoulder轴传输在load lock等待的wafer进入HCLU,并取出已研磨的wafer进入input station,前端有blade使用真空吸住wafer

HCLU:Head Clean Load Unload,是让polishing head吸附wafer的地方,也是在研磨前的等待区。拥有外罩cup,centering jaws负责确定wafer的位置,pad stock上放置wafer,中间有小孔真空吸附

Polishing head:是研磨wafer的一个主要部件。内部有innertube,retaining ring,Membrane(吸附wafer),wafer sensor(检测wafer是否存在)。通过升降内部气压的方法来研磨、传输wafer。有Load(吸wafer时),polish(研磨,旋转时),de-chunk(头抬起,但platen不停时),mis-loaded(卸下wafer时)四种状态。

特殊声明:

Membrane Chamber在Load和Mis-Loaded过程中的小加压是为了使Membrane上的褶皱减少,尽可能防止在Polish过程中Membrane和Wafer之间存在的空隙导致出现刮片的情况。

Wafer Sensor是通过气压来检测Wafer是否在正常进行流程,并内部连接了Innertube和Membrane。

不同工作状态下的运行情况:

Pad:负责研磨wafer,研磨时不停和底下的platen一起旋转

Slurry arm:负责流出从pump进入的slurry,进行研磨

Pad conditioner:负责清理pad上留下的残留物,激活pad,抹研磨液

Input station:接从wet robot手中HCLU研磨完毕返回清洗的wafer,内有轴传送wafer,水柱清洗wafer上下表面,等待最后送入清洗

Brush 1和brush 2:清洗wafer,有upper brush和lower brush清理wafer表面,wafer roller负责接收transport来的Wafer,并旋转wafer,并有水柱喷出以及底下的轴transport

Output station:有carriage接收洗完的wafer,可伸缩。Finger负责夹住wafer,检测是否存在,并旋转甩干wafer。Heat lamp则烘干wafer。Mid spindle是初始的状态,down spindle时甩干且烘干wafer,top spindle则方便让fabs robot取出wafer。

【有可能有点流水账233】

FABS Robot首先平移至Carriage前,旋转Blade并伸缩取出Wafer,真空固定,伸缩回来并平移旋转上升至Load Lock,稍稍下降放下Wafer。Wet Robot按照X轴向Load Lock靠近,靠Z轴升高并旋转Wrist轴取出Wafer,真空固定,并按X轴向HULC靠近同时旋转Wrist轴180度,Z轴下降,Shoulder轴旋转使Wafer进入HULC并取出Blade。Pad Stock中间真空吸住Wafer,Centering Jaws确定Wafer位置,此时Pad Stock和Cup上升使Polishing Head吸住Wafer再下降,Polishing Head再靠主轴方向后缩。主轴旋转Polishing Head至一个Pad上方,Pad Conditioner向主轴方向移出,Slurry Arm通过Pump流出Slurry在Pad上,Polishing Head下降使Wafer贴近Pad,Pad Conditioner,Pad,Platen,Polishing Head开始同向逆时针旋转,研磨。Polishing Head和Pad Conditioner持续左右移动,Polishing Head幅度较小。Wafer Sensor一直确定着Wafer是否存在和状态。结束后,Pad Conditioner向左移动靠边,其余部位不停。有水柱流向外罩,保持外罩的干净以便观察。水变小,Polishing Head稍稍抬起,主轴带着Polishing Head向空出的Pad上等待。水柱停止时,下一Wafer继续。Polishing Head移动到HCLU的位置,先稍稍向外伸出,Pad Stock和Cup再上升真空接住Wafer,Wet Robot沿X轴,Shoulder轴平移并吸住Wafer取出,继续沿X轴移动到Input Station,沿Z轴上升,Shoulder轴平移进入。Input Station有轴送入Wafer进入,等待时有上下水柱喷出清洗。当Wafer进入Brush1之前,两个Brushes上下分开微小的距离,轴推进Wafer进入,Wafer Roller停住Wafer后Brush上下合拢不停旋转清洗,Wafer Roller则转动Wafer,上有水柱喷出。再进入Brush2之前,Wafer Roller稍稍张开,方便Wafer进入并重复二次清洗。轴送上Wafer进入Output Station,Carriage接住Wafer,Finger上升夹住Wafer,Carriage收回。Wafer从MID Spindle下降至DOWN Spindle,Heat Lamp打开烘干,Finger高速旋转甩干,Spare会同时喷出少量水。完毕后,Heat Lamp暗下,Wafer慢慢停止旋转,Wafer从DOWN Spindle升至TOP Spindle,Finger松开,FABS Robot上升旋转后伸缩真空取出Wafer,并下降旋转平移再伸缩放回Wafer所在的原来Cassette的位置,此时Top Spindle会回到MID Spindle。

好啦那么JDD就这么简单地把整个硅晶片研磨过程叙述了一遍。。那么觉得有帮助的小伙伴们欢迎素质4连,活着在下方留言和私信给JDD都是可以的哦!那我们下次再见咯

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